王者荣耀攻略1数据说明如何快速刷金币到上限

MOS管電源電壓被瞬間拉低的控制問題及解決辦法

王者荣耀攻略1数据说明如何快速刷金币到上限 www.zhaft.icu 發布時間:2019-05-27 責任編輯:xueqi

【導讀】在電子設計的路上,遇到難題怎么辦?面對同僚們的顧左右而言他,不如來二姨家論壇里尋求真知灼見。這里有不期而遇的隱身高手,也有誨人不倦的熱情攻城獅,道理越辯越明,思想碰撞出火花,快來加入吧。
 
以下Q代表問題的提出,A代表網友的回答。
 
Q:
各位模擬大神,求教一個問題。如下圖,BAT+點的電壓,通常在2.4~2.8V左右,但是,每當按鍵之后,MCU的5腳輸出高電平,導通了Q1的一瞬間,BAT+點的電壓會被瞬間拉低1.5~1.7V左右,持續約數十毫秒,結果就把MCU給拉死了,導致復位重啟。
 

求教有無解決辦法???
 
A1:
電池內阻太大,帶不動電機
 
A2:
C2再并聯一較大電容數uF,再不行則R7再串蕭持基二極管。電池也并聯大值電容。我一個產品也一樣情況,MCU采用2V可動作的,大電容用22uF,9V電池,負載是電磁蜂嗚器和RF發射。
 
Q:
to A1,電池是鎳氫電池,帶動電機沒問題的。電機本身也是一個很小的有刷直流小電機而已。
最大的問題,還是MOS管導通的瞬間,相當于短路到地了,所以才會將電源電壓給瞬間拉低的。
 
A2所提到的這些方法都嘗試過了:
1、C2并大電容,一直試到220uF才解決問題,但是電容體積太大(電解電容),外殼裝不下。
2、并聯肖特基,導致MCU端的供電電壓下降了0.2~0.3V,當電池電壓下降到2.0V時就面臨復位的風險了,因為MCU的復位電壓點就設置在1.6~1.8V之間。并且還是要并聯大電容,外殼不允許。
3、MCU本身就是可以工作于2.0V以下的,最低可以到1.6V左右。
請指教,看看是否還有其他解決辦法?
 
A3:
用pwm,占空比從小到大,慢慢啟動。
 
Q:
嗯,軟啟動這招已經試過了,效果確實可以,但是客戶不接受,理由是:軟啟動導致馬達緩慢轉起來,在轉動的那一瞬間,感覺很沒勁。
而硬啟動,在啟動的一瞬間有一種“猛然上沖”的感覺,體驗比較爽。這是客戶自己說的,我是死活 提驗不出有啥差別。
該客戶是互聯網客戶,典型的不懂硬件的SB,實在沒招,唉?。?!
 
A4:
BAT+到單片機VDD,用肖特基二極管,然后電容盡可能的大。把單片機電源與電池隔離,單片機的耗電在壓一壓。
 
A5:
當以上方法確實用盡,終極方法:電機串小電阻。
 
A6:
mos管,那個100歐換大點,換個2K,下拉電阻加大,減少耗電。電容就能多抗一會。如果那個3r3換成肖特基,電容應該不需要這么大。電容的體積,不一定很大。
 
A7:
也許該由電池夾子背鍋。兩個電池如果用電池夾子安裝,有3-4個接觸點,如果彈力不足,或接觸表面不好,接觸電阻可能比較大。
 
A8:
C1 應該改小。1nF 即可。 二極管D2已經?;ち薓OSFET,電容只是通過EMC用。
用100nF 會讓電源瞬間跌落一半,甚至更多。MLCC誤差可能達到50%。
電池兩端并聯大電容可以讓電機有“猛然上沖”的感覺,還可以減少其他毛病。一個瓷介電容都沒有點不可思議。
 
A9:
用宵特基把MCU的電源和其他部分隔開即可?;共恍?,再加大MCU電源的電容。
 
A10:
C2并大電容 + 并聯肖特基要一起上,這樣電容應該可以小點。
如果肖特基壓降太大,可以改用低RDS(ON)的PMOS管,
啟動電機前先關了它,過了啟動大電流期再打開。
 
Q:
A10這個方法測試過了,雖然可以解決問題,但是又引入了其他新的問題,所以最終還是被否決了。
謝謝A8 指教!感覺挺有道理的,回頭我試試。
這個電路是客戶自己設計的,我們只是配合做了MCU及軟件而已。現在出了問題就賴在我們身上,要求給解決,沒轍啊,只能硬著頭皮上了。
to A7,電池是焊死在板子上的,不存在接觸不良的問題。
 
來源:21ic論壇
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